پیشرفتی جدید از چینی ها برای تولید انبوه تراشه های نیمه رسانا
باشگاه خبرنگاران جوان؛ مجید فراهانی -به گزارش روزنامه ساوت چاینا مورنینگ پست، دانشمندان چینی از توسعه فناوری جدیدی آگاهی داده اند که امکان تولید انبوه تراشه های نیمه رسانا برمبنای مواد دوبعدی را فراهم می آورد.
این روزنامه گزارش داد که یک تیم علمی به رهبری وانگ جیانلین از دانشگاه جنوب شرقی نانجینگ، با همکاری وانگ شینران و لی تائوتائو از دانشگاه نانجینگ، با توسعه یک تکنیک جدید رشد کریستال که آنها را قادر به تولید یک ویفر تک کریستالی دی سولفید مولیبدن (MoS₂) به طول ۱۵ سانتی متر می سازد، به موفقیت قابل توجهی دست پیدا کردند.
در طول پروسه رشد کریستال، دانشمندان در مرحله خاصی از واکنش شیمیایی اکسیژن اضافه کردند که رشد کریستال را تسریع کرد، خواص الکترونیکی آنرا بهبود بخشید و احتمال نقص را کم کرد.
بگفته این روزنامه، این تکنیک راه را برای تولید انبوه تراشه های نیمه رسانا ساخته شده از مواد دوبعدی هموار می کند.
وی همینطور اشاره کرد که دانشمندان چینی سهم قابل توجهی در تحقیقات روی مواد نیمه هادی دوبعدی مختلف داشته اند که می تواند به عنوان جایگزینی برای سیلیکون در آینده عمل کند.
منبع: RIA Novosti
منبع: وبو
